多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及场电子发射研究

摘要：

本文研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的纳米金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(<1V/μm),发射电流增大(>90Ma/cm<”2>),场发射性能稳定.文中对这种场发射特性提出了理论解释.

关键词： 多孔硅 金刚石薄膜 场电子发射 制备工艺

作者: 陈光华 蔡让岐 宋雪梅 邢光建 阴生毅 冯贞健 贺德衍

作者单位: 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京),兰州大学物理科学与技术学院(兰州) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州) 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 527-529

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）