热处理对Pr<,5>Si<,4>-Pr<,5>Ge<,4>赝二元体系晶体结构及相关系的影响

摘要：

本文利用X射线粉末衍射及Rietveld精修技术对Pr<,5>Si<,4>-Pr<,5>Ge<,4>赝二元体系室温及高温(1273K)热处理后晶体结构及相关系进行了研究.研究结果表明:室温下该二元体系存在三个结构不同的单相区,但只有两个结构不同的单相区存在于高温.基于X射线粉末衍射结果,给出了室温αPr<,5>Si<,4>、αPr<,5>Ge<,4>、αPr<,5>Si<,2>Ge<,2>及高温βPr<,5>Si<,2>Ge<,2>的晶体结构信息,确定了Pr<,5>Si<,4>-Pr<,5>Ge<,4>赝二元体系室温及高温相关系.

关键词： 稀土合金 晶体结构 X射线衍射 相关系 热处理

作者: 杨海方 饶光辉 刘广耀 欧阳钟文 刘卫芳 冯晓梅 陈景然 梁敬魁

作者单位: 中国科学院物理研究所暨凝聚态物理中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国相图学术会议

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）