热处理对Nd<,5>Si<,4>-Nd<,5>Ge<,4>赝二元体系晶体结构及相关系的影响
本文利用X射线粉末衍射及Rietveld精修技术对Nd<,5>Si<,4>-Nd<,5>Ge<,4>赝二元体系室温及高温(1273K)热处理后晶体结构及相关系进行了研究.研究结果表明:室温下该二元体系存在四个结构不同的单相区,而在1273K该体系只有三个结构不同的单相区.基于X射线粉末衍射结果,给出了室温αNd<,5>Si<,4>、αNd<,5>Si<,2.8>Ge<,1.2>、αNd<,5>Si<,2>Ge<,2>和αNd<,5>Ge<,4>、用高温βNd<,5>Si<,2.8>Ge<,1.2>和βNd<,5>Si<,2>Ge<,2>的晶体结构信息,确定了Nd<,5>Si<,4>-Nd<,5>Ge<,4>赝二元体系室温及高温相关系.
稀土合金 晶体结构 X射线衍射 热处理 相关系
杨海方 饶光辉 刘广耀 欧阳钟文 刘卫芳 冯晓梅 陈景然 梁敬魁
中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心
国内会议
西宁
中文
102-105
2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）