电子器件ESD热击穿模型研究

摘要：

本文提出了电子器件ESD热击穿的物理模型,并就两种不同pn结深度的热击穿进行了讨论,探讨了不同pn结深度下的ESD击穿电压.

关键词： ESD控制技术 静电放电 电子器件 热击穿模型

作者: 孙可平 赵俊萍

作者单位: 上海海运学院静电研究室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会静电专业委员会第十次学术年会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 6-10

在线出版日期: 2002-02-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）