氨化磁控溅射Ga<,2>O<,3>膜在Si(111)衬底上制备GaN纳米棒

摘要：

通过氨化射频溅射工艺生长的Ga<,2>O<,3>薄膜,在Si(111)衬底上成功地制备出了GaN纳米棒.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对样品的形貌、组分和结构进行了分析.生成的GaN纳米棒尺寸比较均匀,其直径为80~200nm,长1.5μm左右;纳米棒为六方纤锌矿结构,呈单晶相.这是首次报道,在没有催化剂和空间限制的作用下,由Ga<,2>O<,3>薄膜和NH<,3>直接反应生长GaN纳米棒.

关键词： Ga<,2>O<,3>薄膜 GaN纳米棒 制备方法 氨化磁控溅射

作者: 杨利 庄惠照 魏芹芹 孙振翠 郭兴龙 董志华 高海永 薛成山

作者单位: 山东师范大学半导体研究所化学功能材料实验室(济南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 96-99

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）