Si(111)衬底上GSMBE AlN的结构性质

摘要：

我们用NH<,3>作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,用高分辨率电子显微镜对AlN外延层进行了考察,发现我们获得的AlN是六方相,外延的取向关系为(0001)AlN//(111)Si,(11-20)AlN//(110)Si,”10-10”AlN//”11-2”Si,.

关键词： 分子束外延 氮化铝 半导体材料 外延生长 表面形貌 结构性质

作者: 罗木昌 王晓亮 刘宏新 王雷 李晋闽 张小平 潘华勇 胡国新 孙殿照 曾一平 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京大学物理系电镜中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 70-73

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）