C-GaN/GaAs(001)晶格常数测量的新方法

摘要：

本文提出一种用X射线三轴晶衍射测量C-GaN晶格常数的新方法.实验测定完全弛豫的C-GaN的晶格常数为4.5036±0.0004A,这非常接近理想晶体的计算值.双晶X射线衍射的零点误差为0.004°,在测量精度之内.

关键词： C-GaN 双晶X射线衍射 晶格常数 半导体材料 测量方法 化学气相淀积

作者: 王玉田 郑新和 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中科院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 67-69

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）