偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究
用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面出现了六角形蚀坑、壳形蚀坑和蚀坑线,这三种蚀坑分别起因于平行于C-轴的螺旋位错、平行于Si(0001)晶面的滑移位错和由位错列阵组成的相邻晶粒之间的低角度晶界.对六角形蚀坑和壳形蚀坑的形成及其底部位置的不同移动方向进行了解释.
4H-SiC 偏晶向衬底 表面形貌 位错结构 半导体材料 化学淀积法 外延生长
孙国胜 赵万顺 王雷 罗木昌 曾一平 李晋闽 孙殿照 林兰英
中国科学院半导体研究所(北京)
国内会议
厦门
中文
63-66
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）