多模干涉耦合器光开关的设计考虑

摘要：

以多模干涉(MMI)耦合器为核心器件的硅基光开关是一种新颖的光开关结构,具有制作容差大,偏振不敏感,与标准CMOS工艺兼容等优点.为了使器件性能得到优化,必需充分考虑开关的结构设计,改善器件插入损耗,消光比,功耗和可集成性,同时应保证器件的制作成品率.

关键词： 多模干涉耦合器 光开关 消光比

作者: 陈少武 余金中

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 556-559

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）