(100)磷化铟单晶生长及其性质的研究

摘要：

通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪晶形成机理的理论研究结果一致.

关键词： 单晶生长 孪晶 半导体材料 磷化铟单晶

作者: 赵有文 段满龙 孙文荣 杨子祥 焦景华 赵建群 董志远 曹慧梅 吕旭如 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学中心(北京市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 54-58

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）