λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器
采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm<”2>,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.
CMOS/SOI SiGe/Si 光电探测器 结构设计 器件制作
郭辉 郭维廉 郑云光 郝禄国 李树荣 吴霞宛
天津大学电信工程学院
国内会议
厦门
中文
530-533
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）