GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究

摘要：

通过对(NH<,4>)<,2>S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10<”10>cmH<,2><”1/2>/W.

关键词： GaInAsSb 红外探测器 硫钝化 电学特性 光学特性

作者: 李志怀 夏冠群 程宗权 伍滨和 黄文奎

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 521-523

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）