(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响

摘要：

本文研究了(NH<,4>)<,2>S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH<,4>)<,2>S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.

关键词： 探测器 暗电流 钝化方法 钝化处理

作者: 张雄 李爱珍 林春 郑燕兰 许刚毅

作者单位: 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 515-516

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）