具有p-i-n结构的GaN基紫外探测器

摘要：

本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.

关键词： 紫外探测器 氮化镓 器件制备 材料生成

作者: 谢雪松 吕长治 张小玲 李志国 肖葳 韩迎 吕晓亮 曾庆明

作者单位: 北京工业大学电控学院可靠性物理研究室 河北半导体研究所(石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 507-510

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）