高响应度GaN紫外探测器的研制

采用金属有机物化学气相外延(MOCVD)方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型探测器.对该探测器进行了测量,其光谱响应表明:从330nm到360nm内都有较高的响应,并且在360nm附近有陡峭的截止边.该探测器的工作电压范围大,在30V偏压下最大响应度约为7000A/W.研究了光从探测器的正反两面入射时对响应度的影响,并讨论了其原因.
光电探测器 紫外探测器 氮化镓 光电流
沙金 周建军 江若琏 刘杰 沈波 张荣 郑有炓
南京大学物理系(南京)
国内会议
厦门
中文
501-503
2002-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)