准连续140w半导体激光器线阵列

摘要：

采用MOCVD折射率渐变量子阱外延材料,外延层挖槽隔离和铬金金属化工艺,腔面镀以增透和高反膜,研制出了1cm长线阵列,在准连续(QCW)条件下输出功率达140W,近场图形完好,远场图分布对称,在100W输出功率下可以实用.

关键词： 半导体激光器 泵浦技术 结构设计 制作工艺

作者: 安振峰 刘英斌 王晓燕 李学颜

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 482-485

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）