高铝组分AlGaAs/AlAs型DBR的选择性氧化

摘要：

在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计优化了工艺条件,降低了氧化后电流注入区的电阻并得到了可精确控制氧化速率和氧化均匀性的工艺条件.

关键词： 选择性湿氮氧化 垂直腔面发射激光器 布拉格反射器 化学湿法腐蚀 氧化速率

作者: 康香宁 叶晓军 高俊华 陈良惠

作者单位: 中科院半导体所光电子国家工程中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 478-481

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）