应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.83>P<,0.17>与In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.525>P<,0.475>四元合金应变界面重空穴的导带边带阶.
量子阱激光器 调制光谱 跃迁能量 能级
金鹏 曲胜春 王占国 张存洲 潘士宏
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 南开大学物理科学学院(天津)
国内会议
厦门
中文
474-477
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）