多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究

摘要：

对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我们必须考虑GaAs间隔层的厚度.

关键词： 量子点 间隔层 发光性质

作者: 何军 徐波 朱天伟 曲胜春 刘峰奇 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 456-458

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）