InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响
我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103meV的InAs量子点的发光特性.第一结果对实现高T<,0>的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.
量子点 光致发光 能级间距 发光特性
张子旸 金鹏 曲胜春 李成明 孟宪权 徐波 叶晓玲 王占国
中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)
国内会议
厦门
中文
453-455
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）