Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究

摘要：

GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.

关键词： 光电子材料 光电子器件 量子阱激光器 砷化镓

作者: 林耀望 潘钟 吴荣汉

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 446-448

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）