GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF<,4>气体,初步解决了ICP刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留问题,改善了刻蚀形貌.
干法刻蚀 GaCl<,x> 半导体器件 氮化镓 刻蚀技术
魏珂 刘训春 王润梅 罗明雄 曹振亚 牛立华 肖冬萍
中科院微电子中心(北京)
国内会议
厦门
中文
443-445
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）