调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究

摘要：

本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H<,0>和H<,1>之间能量差在75meV和108meV之间变化,其平均值为95meV.随着温度的升高,H<,1>峰有微弱的红移,而H<,0>峰却有轻微的蓝移;当温度从10K上升到70K时,H<,0>和H<,1>之间能量差(ΔE)在减小了约3meV.

关键词： 调制掺杂 二维电子气 光荧光谱 氮化镓

作者: 朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 440-442

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）