调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究

本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H<,0>和H<,1>之间能量差在75meV和108meV之间变化,其平均值为95meV.随着温度的升高,H<,1>峰有微弱的红移,而H<,0>峰却有轻微的蓝移;当温度从10K上升到70K时,H<,0>和H<,1>之间能量差(ΔE)在减小了约3meV.
调制掺杂 二维电子气 光荧光谱 氮化镓
朱建军 刘素英 史永生 赵德刚 杨辉 梁骏吾
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
国内会议
厦门
中文
440-442
2002-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)