150-175MHz 300W 功率VDMOS场效应晶体管

摘要：

采用梯形台阶栅结构、Mo栅电极技术、共源平衡推挽工作,研制出了工作频率在150-175MHz、脉宽650μm、占空比20﹪的条件下,输出功率大于300W、功率增益14.4dB、漏极效率大于60﹪的N沟道增强型高性能垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET).

关键词： 场效应晶体管 结构设计 制造工艺

作者: 邓建国 刘英坤 郎秀兰 吴坚 张颖秋 李明月

作者单位: 信息产业部电子十三所(河北石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 414-417

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）