GaAs FET失效机理及快速评价实验技术的研究

摘要：

本文提出了快速评价GaAs FET可靠性寿命的一种新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,在线快速提取出器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而可进一步求出器件的失效激活能、寿命等相关的可靠性参数.

关键词： GaAs FET 失效机理 快速评价 微电子器件 可靠性

作者: 李志国 宋增超 孙大鹏 程尧海 张万荣 周仲蓉

作者单位: 北京工业大学电控学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 369-372

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）