难熔金属与n-GaAs的欧姆接触

摘要：

本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.

关键词： 难熔金属 砷化镓 欧姆接触 半导体器件

作者: 刘文超 夏冠群 周健 李冰寒

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 357-360

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）