<”29>Si<”+>注入n-GaAs欧姆接触研究

摘要：

本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<”29>Si<”+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<”29>Si<”+>注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10<”-7>Ω·cm<”2>左右.

关键词： 欧姆接触 离子注入 快速合金化 AuGeNi/Au 半导体器件 砷化镓

作者: 李冰寒 夏冠群 周健 刘文超

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 353-356

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）