5-21GHz砷化镓宽带单片集成电路

摘要：

本文简叙了砷化镓宽带单片电路的结构形式、CAD设计的过程以及单片的制作和性能测试等.其性能为:5-21GHz频段内,输出功率大于15dBm,增益大于8.5dB;输入、输出驻波比≤2;1,增益平坦度±0.85.

关键词： 砷化镓 单片集成电路 CAD设计

作者: 张玉清 张慕义 王绍东

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 349-352

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）