自对准InGaP/GaAs HBT跨阻放大器的研制
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件单管阈值电压平均为1.15V,电波增益为50,发射极面积4um×14um的单管在集电极电流密度J<,C>=2×10<”4>A/cm<”2>条件下截至频率达到了40GHz.我们设计并制作了两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在工作频率2.5GHz时分别为50.6dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.
InGaP/GaAs HBT 自对准工艺 跨阻放大器 电路设计
王延锋 孙海峰 刘新宇 和致经 吴德馨
中国科学院微电子中心(北京)
国内会议
厦门
中文
345-348
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）