半导体材料晶体的等效微重力生长

摘要：

本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.

关键词： 等效微重力 动力粘滞系数 半导体材料 晶体生长 砷化镓

作者: 徐岳生 刘彩池 王海云 唐蕾

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所(天津市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 33-37

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）