GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

摘要：

本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P<,-Idb>≥30W,G<,p>≥10Db,5.2-5.8GHz,P<,-Idb>≥28-30W,G<,p>≥8dB,X波段8.6-9.6GHz,输出功率20瓦;Ku波段,带宽500MHz,输出功率16瓦.

关键词： MESFET 砷化镓晶体管 工作原理 结构设计

作者: 王同祥 李岚 李增路 关富民 宋俊奎

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 333-336

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）