SI GaAs阈值电压均匀性与PL mapping均匀性的关系研究

摘要：

本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是GaAs数字电路研究、生产的有效测试手段.

关键词： PL mapping 阈值电压 均匀性 半导体材料 砷化镓 参数测试

作者: 朱朝嵩 张有涛 夏冠群 惠峰

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 325-328

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）