X波段6W HFET

摘要：

该论文中介绍了X波段大功率HFET的设计、制作和性能,包括电路的CAD优化设计,GaAs HFET工艺技术研究,功率合成技术研究等.经测试该器件性能在8.8~9.5GHz,输出功率大于6W,增益大于8dB.

关键词： 异质结器件 优化设计 CAD 砷化镓 工艺流程

作者: 邱旭 杨梦丽 黄礼蓥

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 321-324

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）