InP基PHEMT器件研制

摘要：

采用InP基的PHEMT材料,对现有的GaAs工艺进行调整,进行毫米波器件的研制.通过采用台面隔离、快速合金欧姆接触、介质填充及电子束直写制作亚微米栅等先进工艺技术,研制出f<,max>达270GHz,f<,T>约120GHz的毫米波器件.器件的栅长0.15μm,栅宽为70μm,源漏间距2.4μm.

关键词： 毫米波器件 磷化铟 器件制造 台面隔离 欧姆接触

作者: 李岚 丁奎章 王同祥 刘玉贵

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 317-320

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）