SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制

摘要：

介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达到了设计要求.在3μm工艺条件下制作出SiGe/Si HBT,室温电流增益达到350,截止频率为20GHz.

关键词： SiGe/Si SiGe/Si晶体管 材料生长 制作工艺

作者: 成步文 左玉华 毛容伟 李传波 黄昌俊 张建国 高俊华 余金中 王启明

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 299-301

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）