SiGe HBT发射区刻蚀实验研究

摘要：

本文描述了SiGe HBT发射区刻蚀实验研究.详细介绍控制发射区刻蚀的厚度薄层电阻法原理、方法及测试结果.文中还就实验结果进行了分析讨论.

关键词： 发射区刻蚀 薄层电阻 SiGe晶体管 刻蚀实验

作者: 付玉霞 刘志弘 刘志农

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 295-298

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）