会议专题

立方相GaN/GaAs(001)外延层的光辅助湿法腐蚀

本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对腐蚀特性上的差异进行了简单的讨论.

立方相GaN 光辅助湿法腐蚀 半导体器件 腐蚀特性 气相外延

张秀兰 沈晓明 冯淦 张宝顺 冯志宏 杨辉

中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

国内会议

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

厦门

中文

288-294

2002-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)