微空气桥隔离的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管

摘要：

以p<”->-GaAsSb作为基区材料,利用微空气桥隔离工艺制作了NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(DHBT:Double Heterojunction Bipolar Transistor).测量结果显示,该晶体管的be结正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.76V.

关键词： 开启电压 微空气桥隔离 双异质结晶体管 湿法腐蚀工艺

作者: 郑丽萍 严北平 孙海锋 刘新宇 和致经 吴德馨

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 香港大学电子电气工程系(香港)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 284-287

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）