0.1μmHFET小信号等效电路模型参数的提取

摘要：

本文给出了一种适合0.1μmHFET器件的小信号等效电路模型参数提取方法.这种方法根据材料性能和物理结构参数近似计算HFET小信号等效电路模型参数,并以此为初值利用模拟退火算法提取HFET小信号等效电路模型参数.这种方法得到的小信号等效电路模型参数与测量的S参数符合的很好.

关键词： HFET 等效电路 模拟退火算法 HFET器件 电路模型 参数提取

作者: 袁志鹏 高建军 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 280-283

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）