PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用

摘要：

本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO<,2>、SiON膜,低应力钝化膜优于高应力钝化膜的结论.

关键词： PECVD HFET 钝化 砷化镓器件 化学气相淀积 钝化技术 器件性能

作者: 郑英奎 汪宁 刘新宇

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 276-279

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）