自对准InGaP/GaAs HBT器件

摘要：

利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V.

关键词： 自对准结构 异质结双极晶体管 砷化镓 材料结构 器件特征

作者: 孙海锋 和致经 王延锋 刘新宇 郑丽萍 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 272-275

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）