用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

摘要：

在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以上.随着温度的升高,Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率略有增加,室温下的电阻率有待进一步的改进.

关键词： 欧姆接触 接触电阻率 氮化镓薄膜

作者: 张小玲 吕长志 谢雪松 李志国 肖葳 韩迎 曹春海

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 南京固体器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 268-271

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）