应变SiGe沟道PMOSFET开关特性研究

摘要：

以Medici程序模拟为途径,研究了有效沟长为0.5μm的典型SiGe沟道PMOSFET器件开关特性,分析了开关时间随器件垂直层结构和参数的变化规律,通过同Si PMOSFET器件开关时间的对比,表明了SiGe PMOSFET相对优良的开关性能.

关键词： 开关特性 场效应器件 模拟分析

作者: 杨荣 罗晋生

作者单位: 中国科学院微电子中心一室(北京) 西安交通大学微电子学研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 264-267

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）