AlGaInP/GaAs HBT工艺研究

摘要：

对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获得了较好的效果.

关键词： 台面腐蚀 欧姆接触 标记套刻 异质结双结型晶体管 砷化镓

作者: 程知群 孙晓玮 钱蓉

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 260-263

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）