LPCVD生长低应力氮化硅膜工艺研究

摘要：

本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.

关键词： 氮化硅薄膜 薄膜制备 化学气相沉积 制备工艺

作者: 董立军 陈大鹏 韩敬东 谢常青 李兵 赵铃莉 胥兴才

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 257-259

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）