AlGaN/GaN HEMT器件

摘要：

报道了AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺和器件的室温直流特性测试结果.器件的栅长为0.8μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为25mA/mm,最大跨导为12mS/mm.

关键词： 半导体器件 氮化镓器件 HEMT器件 制造工艺 直流特性

作者: 肖冬萍 魏珂 王润梅

作者单位: 中科院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 244-246

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）