X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

摘要：

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟与控制、高精度对准技术、深亚微米T型栅工艺等方面研究状况,最后对X射线光刻技术在国内的实用化研究进行了简要分析.

关键词： X射线光刻 X射线掩模 掩模形变 深亚微米T型栅 光刻技术 半导体器件

作者: 谢常青 陈大鹏 李兵 孙加兴 赵玲利 胥兴才 叶甜春

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 234-239

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）