用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性
本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10<”17>cm<”-3>.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I<,d>与漏源电压的V<,ds>输出特性曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下漏极电流I<,d> i为5.03A/cm,这是一个比较高的值.模拟还得到了跨导和电流截止频率与栅源电压的关系曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=1.5V,的条件下,跨导出现最大值,最大值为112ms/mm.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下,电流截止频率f<,T>出现最大值,最大值为98GHZ.
场效应晶体管 化合物半导体 氮化镓 Monte Carlo方法 直流特性 交流特性
郭宝增 宋登元
河北大学电子信息工程学院(保定)
国内会议
厦门
中文
229-233
2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）