氮化镓微波器件的进展

摘要：

GaN是一种很稳定的化合物半导体材料,其化学的和热的稳定性材料性质尤其有利于制造高温器件.本文综述了优良的宽度半导体GaN微电子器件的优点性能及其新进展.

关键词： 光电子 半导体材料 氮化镓 微波器件

作者: 袁明文

作者单位: 信息产业部电子13所专用集成电路国家重点实验室(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 212-216

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）