InP基上InAs纳米结构构型的研究

摘要：

本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

关键词： InP基 纳米结构 量子点 量子线

作者: 赵凤瑷 徐波 金鹏 王占国

作者单位: 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 200-203

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）